主要性能参数
Pt/Ti/SiO2/Si
Au/Cr/Si
制备方法:
磁控溅射
导电类型
P型 掺B,N型掺P
P型掺B, N型掺P
膜厚 ：
Pt：150nm；过渡层Ti：20nm ； SiO2： 500nm
Au,40~100nm,过渡层Cr,20nm
硅片晶向
<100>或者<111>
常规尺寸：
Dia4"；Dia2"；10mm*10mm ；10mm*5mm
Dia2"；10mm*10mm ；10mm*5mm
